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2026-01-24 13:15:47
供需格局改善:环氧丙烷产业及国内厂商梳理
前言:欧洲环氧丙烷因能源(天然气)成本高企,近年陆续关停超80万吨产能;我国企业凭借低成本工艺,有望填补市场缺口,扩大出口份额。 一. 环氧丙烷概览 环氧丙烷(PO)是一种重要的基础化工原料,沸点低、易燃、化学性质活泼,是仅次于聚丙烯、丙烯腈的第三大丙烯类衍生物。 其环氧基具有高反应活性,可通过开环反应衍生出数百种下游产品,如聚醚多元醇(占比70%)、丙二醇、碳酸二甲酯、丙二醇醚等: (1)聚醚多元醇(聚醚):用于生产聚氨酯泡沫,下游包括家具(床垫、沙发)、汽车(座椅、内饰)、建筑(保温材料)、
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红宝丽
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2026-01-22 21:43:44
供需格局改善:PC(聚碳酸酯)产业及厂商梳理
一. 驱动逻辑 (1)供给端:当前节前淡季,行业开工率处于高位;节后三四月迎来需求旺季,且2026全年无新增产能落地。 (2)需求端:汽车轻量化/新能源汽车带动需求,电子电器、医疗器材等领域需求稳步扩容,同时出口保持增长。 二. 聚碳酸酯概览 聚碳酸酯(PC)是分子主链含碳酸酯基团的热塑性高分子聚合物,属于五大工程塑料(PC、PA、POM、PBT、PPO)。 其具有高透明性、高抗冲击性、高耐热性、高阻燃性、易加工性等性能,是近年来增速最快的通用工程塑料。 PC产品形态多样,主要包括颗粒状(最常见
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维远股份
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沧州大化
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2026-01-22 18:56:03
中间体供应紧张 分散染料涨价:国内供应商梳理
一. 驱动逻辑 分散染料中间体邻氯对硝基苯胺近期价格攀升,从去年同期的2.5万元/吨上涨至目前的3.8万元/吨。 其在分散染料生产中具有不可替代的作用,理论单耗约为0.3–0.9吨/吨染料。 当前邻氯对硝基苯胺涨价已经传导至下游,近期多家厂商上调产品价格(分散黑类、分散深蓝类)。 二. 染料概览 染料是一类能使物质牢固染色的有机化合物,广泛用于纺织、皮革、造纸、食品、医药、油墨、塑料等领域。 着色原理:物理吸附(直接染料、酸性染料)、化学结合(活性染料)、扩散渗透(分散染料、还原染料)。 现代染
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浙江龙盛
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闰土股份
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2026-01-21 21:27:41
芯片封装基板:IC载板供应格局梳理
一. IC载板概览 IC载板也称封装基板,在半导体封装环节中,用于连接裸芯片 (Die)与PCB,实现芯片与外部电路的信号传输、机械支撑。 其本质是一种高密度多层互连基板,通过内部精细线路解决芯片微米级焊盘与PCB布线密度不足的矛盾: 目前芯片引脚数突破10万根,间距缩小至0.3mm以下;传统PCB无法承载该连接需求,IC载板通过高密度布线实现2-5μm线宽线距。 1.1 核心功能 (1)电气连接:将芯片微米级焊盘与PCB毫米级引脚互联,实现信号传输。 (2)机械支撑:固定芯片位置,防止物理损伤
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深南电路
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兴森科技
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2026-01-21 19:25:59
供需缺口推动产品提价:CPU产业及厂商全景梳理
一. 驱动逻辑 (1)供给侧:abf载板供应紧张,英特尔将Intel 3/7产能转向服务器;英特尔、AMD计划将服务器CPU价格上调10%-15%。 (2)需求侧:Agentic AI重塑推理架构,控制流逻辑主要在CPU上运行,需要更多的CPU处理能力(频繁循环:规划→ 调用→执行→反思)。 二. CPU概览 CPU(中央处理器)是计算机系统的运算和控制核心,由运算器(ALU)、控制器、寄存器等单元组成。 2.1 主要功能 (1)指令执行:从内存获取指令,通过控制器译码后,驱动运算器执行相应操作
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海光信息
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中国长城
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2026-01-20 21:45:32
M9覆铜板增量耗材:金刚石钻针导入进展及厂商梳理
一. 驱动逻辑 PCB制备涉及200多道工序,核心流程:覆铜板开料→内层制作→层压→钻孔→电镀→外层制作→阻焊→表面处理→成型→检测。 覆铜板材料从M7/M8升级到M9,因Q布硬度更高,传统钻针迎来痛点:损耗大(400→200孔/刀)、效率受限(频繁停机换刀)。 金刚石钻针优势:硬度大、耐磨性高(1万孔/刀)、效率提升(适合批量生产)、质量高(孔位精度高)。 二. PCB钻孔设备 PCB钻孔设备用于在覆铜板上完成通孔、盲孔、埋孔等工艺,定位精度和孔壁粗糙度直接影响PCB电气可靠性和良率。 2.1
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沃尔德
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四方达
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2026-01-20 20:00:12
商用航空发动机:国产化进展及配套厂商梳理
一. 商用航发概览 商用航空发动机是为民航航空器提供飞行动力的核心装置,主流机型普遍采用大涵道比涡轮风扇发动机,通过吸入空气并加速排出产生推力。 (1)性能指标:推力、推重比、燃油效率(SFC)、涵道比(BPR)、可靠性、使用寿命、环保性能。 (2)工作原理:通过布雷顿循环(等压加热循环),实现热能→机械能→推力,流程包括进气、压缩、燃烧、膨胀做功、排气五大环节。 1.1 核心部件 (1)风扇:负责吸入空气并分流,贡献主要推力。 (2)压气机:将空气压缩至燃烧所需的高压,提升燃烧效率。 (3)燃
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航发动力
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航发科技
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航发控制
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2026-01-19 22:04:49
供需错配加剧:钨资源国内供应格局梳理
一. 驱动逻辑 (1)供给端 25年2月,我国对钨等相关物项实施出口管制;叠加开采指标收紧、环保限产等因素直接影响供给预期。 海外外新增产能有限,哈萨克斯坦巴库塔、澳大利亚海豚钨矿等项目预计2027年后达产。 (2)需求端 全球地缘局势加剧钨金属消耗,美国是全球最大钨消费国,20%钨被用于军工领域。 需求结构中,硬质合金仍为最大占比,核聚变(屏蔽材料)、光伏(金刚线母线)、半导体(六氟化钨)等新兴领域需求增长显著。 二. 钨金属概览 钨(W)是一种稀有过渡金属,具备高熔点、高密度、高硬度、化学性
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中钨高新
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厦门钨业
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章源钨业
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2026-01-19 19:55:02
电网4万亿规划:特高压输电环节设备厂商梳理
前言:“十五五”期间,国家电网固定资产投资预计达到4万亿元,较“十四五”投资增长40%。 一. 特高压概览 特高压(UHV)是指交流1000kV及以上、直流800kV及以上电压,为目前全球输电技术的最高等级,被誉为电力系统的超级高速公路。 其核心定位是解决我国能源资源与电力负荷的逆向分布矛盾(能源在西部北部,负荷在东部南部),支撑“西电东送、北电南供”战略。 “十五五”期间,将加快特高压直流外送通道建设,跨区跨省输电能力较“十四五”提升超过30%,支撑新能源基地大规模外送。 二. 特高压输电分类
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特变电工
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保变电气
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中国西电
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2026-01-18 18:13:12
封测涨价:先进封装主流路线及厂商梳理
前言:算力芯片推动先进封装需求,台积电产能几乎被海外巨头垄断,供需缺口巨大;日月光近期上调封测价格。 一. 半导体封装 半导体制造分为芯片设计、晶圆制造、封装测试三大环节。 封装的目的是将晶圆切割后的裸芯片(Die)转换为可安装、可使用的成品芯片,起到机械保护、电气连接、散热防护等作用。 (1)工艺步骤:晶圆减薄→晶圆切割→芯片贴装→引线键合→塑封保护→切筋成型。 (2)传统封装类型:DIP(双列封装)、QFP(四方扁平封装)、BGA(球栅阵列)。 二. 先进封装概览 随着2nm工艺突破,晶体管
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长电科技
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通富微电
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2026-01-17 20:45:36
存储扩产周期:HBM(高带宽内存)制备设备厂商梳理
前言:全球存储产业景气度高增,晶圆厂扩产带动上游设备及材料的强劲需求。 一. HBM概览 高带宽内存(HBM)是一种基于3D堆叠工艺的高性能DRAM,专为AI服务器GPU等高性能计算场景设计。 HBM自2013年推出以来,目前已迭代至HBM4,全球市场呈三强垄断格局,SK海力士、三星、美光合计占据90%以上份额。 1.1 封装原理 HBM通常采用CoWoS工艺,与GPU高密度集成在同一封装,形成三层结构:芯片层、中介层、基板层。 (1)3D堆叠:将多个DRAM Die(4-16层)垂直堆叠,并通
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精测电子
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中科飞测
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2026-01-17 13:46:25
台积电CoWoS工艺有望导入:碳化硅(SiC)材料供应格局梳理
一. 驱动逻辑 台积电CoWoS工艺属于2.5D先进封装,核心是通过中介层将GPU、HBM高密度集成在同一封装内,实现超高带宽、低延迟的芯片间通信。 CoWoS结构(芯片层-中介层-基板层)中,中介层(Interposer)用于连接芯片层(GPU、HBM)与基板,实现信号高密度互连。 传统中介层采用硅作为基底,碳化硅作为第三代宽禁带半导体材料,热导率等性能显著优于硅,尤其适合高功耗、高集成度AI芯片。 英伟达高阶GPU均采用CoWoS,为提升性能,其拟将CoWoS中阶层材料替换为碳化硅衬底,台积
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天岳先进
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2026-01-16 20:03:51
半导体光刻工艺耗材:掩膜版供应格局梳理
一. 掩膜版概览 掩膜版又称光罩,是一种在高透光率透明基板上沉积特定图案层的的精密光学元件,主要作为半导体光刻工艺的图形转移母版。 光刻工艺步骤:晶圆清洗→涂覆光刻胶→掩膜版安装与对准→曝光→显影→刻蚀→去胶。 工作原理:通过掩膜版对光线的透过/阻挡筛选,将电路图案等比例缩小后投射到涂有光刻胶的晶圆,再通过显影、蚀刻等步骤将图案永久保留。 1.1 主要特点 (1)超高精度:掩膜版上的电路图案需与芯片设计完全一致,线宽误差控制在纳米级。 (2)高稳定性:掩膜版需耐受多次光刻曝光,生产、运输、使用全
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聚和材料
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2026-01-15 19:40:15
固态电池产线招标开启:设备增量环节及厂商梳理
前言:锂电新一轮CAPEX高峰来临,2026年Q1头部大厂固态电池产线招标开启,核心量产设备有望导入。 一. 固态电池制备工艺及设备 核心步骤:原料预处理→电极/电解质制备→电芯组装→电芯封装→化成/分容→检测。 1.1 前段工艺 负责正负电极、固态电解质制备,主要设备: (1)电极制备:混合机(材料均质混合)、涂布机(电极涂覆)、辊压机(压实电极/电解质膜)。 (2)电解质制备:三大路线方案不同,包括流延机(氧化物体系)、蒸镀机(硫化物体系)、热压机(聚合物体系)。 1.2 中段工艺 负责电芯
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宏工科技
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先惠技术
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2026-01-14 19:27:10
海外供给收缩:锡资源国内供应格局梳理
一. 驱动逻辑 (1)供给端:扰动不断 缅甸:佤邦禁矿两年后复产缓慢,由于z药审批困难,锡矿产量低于市场预期。 印尼:取缔非法采矿+RKAB配额收紧+出口许可证延迟,短期配额未落实,全年不确定性较大。 全球来看,新投产项目有限且成本高,矿端紧缺有望维持,锡价中枢上移。 (2)需求端:AI驱动 AI服务器与数据中心驱动半导体扩产周期,电子元件焊料用锡需求增长。 二. 锡金属概览 2.1 分布 锡是一种低熔点金属,质地柔软、延展性强,易形成合金;锡与钨、锑、稀土并称为我国四大战略资源。 锡地壳含量仅
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锡业股份
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华锡有色
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2026-01-24 13:15:47
供需格局改善:环氧丙烷产业及国内厂商梳理
前言:欧洲环氧丙烷因能源(天然气)成本高企,近年陆续关停超80万吨产能;我国企业凭借低成本工艺,有望填补市场缺口,扩大出口份额。 一. 环氧丙烷概览 环氧丙烷(PO)是一种重要的基础化工原料,沸点低、易燃、化学性质活泼,是仅次于聚丙烯、丙烯腈的第三大丙烯类衍生物。 其环氧基具有高反应活性,可通过开环反应衍生出数百种下游产品,如聚醚多元醇(占比70%)、丙二醇、碳酸二甲酯、丙二醇醚等: (1)聚醚多元醇(聚醚):用于生产聚氨酯泡沫,下游包括家具(床垫、沙发)、汽车(座椅、内饰)、建筑(保温材料)、
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供需格局改善:PC(聚碳酸酯)产业及厂商梳理
一. 驱动逻辑 (1)供给端:当前节前淡季,行业开工率处于高位;节后三四月迎来需求旺季,且2026全年无新增产能落地。 (2)需求端:汽车轻量化/新能源汽车带动需求,电子电器、医疗器材等领域需求稳步扩容,同时出口保持增长。 二. 聚碳酸酯概览 聚碳酸酯(PC)是分子主链含碳酸酯基团的热塑性高分子聚合物,属于五大工程塑料(PC、PA、POM、PBT、PPO)。 其具有高透明性、高抗冲击性、高耐热性、高阻燃性、易加工性等性能,是近年来增速最快的通用工程塑料。 PC产品形态多样,主要包括颗粒状(最常见
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中间体供应紧张 分散染料涨价:国内供应商梳理
一. 驱动逻辑 分散染料中间体邻氯对硝基苯胺近期价格攀升,从去年同期的2.5万元/吨上涨至目前的3.8万元/吨。 其在分散染料生产中具有不可替代的作用,理论单耗约为0.3–0.9吨/吨染料。 当前邻氯对硝基苯胺涨价已经传导至下游,近期多家厂商上调产品价格(分散黑类、分散深蓝类)。 二. 染料概览 染料是一类能使物质牢固染色的有机化合物,广泛用于纺织、皮革、造纸、食品、医药、油墨、塑料等领域。 着色原理:物理吸附(直接染料、酸性染料)、化学结合(活性染料)、扩散渗透(分散染料、还原染料)。 现代染
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芯片封装基板:IC载板供应格局梳理
一. IC载板概览 IC载板也称封装基板,在半导体封装环节中,用于连接裸芯片 (Die)与PCB,实现芯片与外部电路的信号传输、机械支撑。 其本质是一种高密度多层互连基板,通过内部精细线路解决芯片微米级焊盘与PCB布线密度不足的矛盾: 目前芯片引脚数突破10万根,间距缩小至0.3mm以下;传统PCB无法承载该连接需求,IC载板通过高密度布线实现2-5μm线宽线距。 1.1 核心功能 (1)电气连接:将芯片微米级焊盘与PCB毫米级引脚互联,实现信号传输。 (2)机械支撑:固定芯片位置,防止物理损伤
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供需缺口推动产品提价:CPU产业及厂商全景梳理
一. 驱动逻辑 (1)供给侧:abf载板供应紧张,英特尔将Intel 3/7产能转向服务器;英特尔、AMD计划将服务器CPU价格上调10%-15%。 (2)需求侧:Agentic AI重塑推理架构,控制流逻辑主要在CPU上运行,需要更多的CPU处理能力(频繁循环:规划→ 调用→执行→反思)。 二. CPU概览 CPU(中央处理器)是计算机系统的运算和控制核心,由运算器(ALU)、控制器、寄存器等单元组成。 2.1 主要功能 (1)指令执行:从内存获取指令,通过控制器译码后,驱动运算器执行相应操作
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M9覆铜板增量耗材:金刚石钻针导入进展及厂商梳理
一. 驱动逻辑 PCB制备涉及200多道工序,核心流程:覆铜板开料→内层制作→层压→钻孔→电镀→外层制作→阻焊→表面处理→成型→检测。 覆铜板材料从M7/M8升级到M9,因Q布硬度更高,传统钻针迎来痛点:损耗大(400→200孔/刀)、效率受限(频繁停机换刀)。 金刚石钻针优势:硬度大、耐磨性高(1万孔/刀)、效率提升(适合批量生产)、质量高(孔位精度高)。 二. PCB钻孔设备 PCB钻孔设备用于在覆铜板上完成通孔、盲孔、埋孔等工艺,定位精度和孔壁粗糙度直接影响PCB电气可靠性和良率。 2.1
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商用航空发动机:国产化进展及配套厂商梳理
一. 商用航发概览 商用航空发动机是为民航航空器提供飞行动力的核心装置,主流机型普遍采用大涵道比涡轮风扇发动机,通过吸入空气并加速排出产生推力。 (1)性能指标:推力、推重比、燃油效率(SFC)、涵道比(BPR)、可靠性、使用寿命、环保性能。 (2)工作原理:通过布雷顿循环(等压加热循环),实现热能→机械能→推力,流程包括进气、压缩、燃烧、膨胀做功、排气五大环节。 1.1 核心部件 (1)风扇:负责吸入空气并分流,贡献主要推力。 (2)压气机:将空气压缩至燃烧所需的高压,提升燃烧效率。 (3)燃
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供需错配加剧:钨资源国内供应格局梳理
一. 驱动逻辑 (1)供给端 25年2月,我国对钨等相关物项实施出口管制;叠加开采指标收紧、环保限产等因素直接影响供给预期。 海外外新增产能有限,哈萨克斯坦巴库塔、澳大利亚海豚钨矿等项目预计2027年后达产。 (2)需求端 全球地缘局势加剧钨金属消耗,美国是全球最大钨消费国,20%钨被用于军工领域。 需求结构中,硬质合金仍为最大占比,核聚变(屏蔽材料)、光伏(金刚线母线)、半导体(六氟化钨)等新兴领域需求增长显著。 二. 钨金属概览 钨(W)是一种稀有过渡金属,具备高熔点、高密度、高硬度、化学性
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电网4万亿规划:特高压输电环节设备厂商梳理
前言:“十五五”期间,国家电网固定资产投资预计达到4万亿元,较“十四五”投资增长40%。 一. 特高压概览 特高压(UHV)是指交流1000kV及以上、直流800kV及以上电压,为目前全球输电技术的最高等级,被誉为电力系统的超级高速公路。 其核心定位是解决我国能源资源与电力负荷的逆向分布矛盾(能源在西部北部,负荷在东部南部),支撑“西电东送、北电南供”战略。 “十五五”期间,将加快特高压直流外送通道建设,跨区跨省输电能力较“十四五”提升超过30%,支撑新能源基地大规模外送。 二. 特高压输电分类
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封测涨价:先进封装主流路线及厂商梳理
前言:算力芯片推动先进封装需求,台积电产能几乎被海外巨头垄断,供需缺口巨大;日月光近期上调封测价格。 一. 半导体封装 半导体制造分为芯片设计、晶圆制造、封装测试三大环节。 封装的目的是将晶圆切割后的裸芯片(Die)转换为可安装、可使用的成品芯片,起到机械保护、电气连接、散热防护等作用。 (1)工艺步骤:晶圆减薄→晶圆切割→芯片贴装→引线键合→塑封保护→切筋成型。 (2)传统封装类型:DIP(双列封装)、QFP(四方扁平封装)、BGA(球栅阵列)。 二. 先进封装概览 随着2nm工艺突破,晶体管
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存储扩产周期:HBM(高带宽内存)制备设备厂商梳理
前言:全球存储产业景气度高增,晶圆厂扩产带动上游设备及材料的强劲需求。 一. HBM概览 高带宽内存(HBM)是一种基于3D堆叠工艺的高性能DRAM,专为AI服务器GPU等高性能计算场景设计。 HBM自2013年推出以来,目前已迭代至HBM4,全球市场呈三强垄断格局,SK海力士、三星、美光合计占据90%以上份额。 1.1 封装原理 HBM通常采用CoWoS工艺,与GPU高密度集成在同一封装,形成三层结构:芯片层、中介层、基板层。 (1)3D堆叠:将多个DRAM Die(4-16层)垂直堆叠,并通
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台积电CoWoS工艺有望导入:碳化硅(SiC)材料供应格局梳理
一. 驱动逻辑 台积电CoWoS工艺属于2.5D先进封装,核心是通过中介层将GPU、HBM高密度集成在同一封装内,实现超高带宽、低延迟的芯片间通信。 CoWoS结构(芯片层-中介层-基板层)中,中介层(Interposer)用于连接芯片层(GPU、HBM)与基板,实现信号高密度互连。 传统中介层采用硅作为基底,碳化硅作为第三代宽禁带半导体材料,热导率等性能显著优于硅,尤其适合高功耗、高集成度AI芯片。 英伟达高阶GPU均采用CoWoS,为提升性能,其拟将CoWoS中阶层材料替换为碳化硅衬底,台积
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半导体光刻工艺耗材:掩膜版供应格局梳理
一. 掩膜版概览 掩膜版又称光罩,是一种在高透光率透明基板上沉积特定图案层的的精密光学元件,主要作为半导体光刻工艺的图形转移母版。 光刻工艺步骤:晶圆清洗→涂覆光刻胶→掩膜版安装与对准→曝光→显影→刻蚀→去胶。 工作原理:通过掩膜版对光线的透过/阻挡筛选,将电路图案等比例缩小后投射到涂有光刻胶的晶圆,再通过显影、蚀刻等步骤将图案永久保留。 1.1 主要特点 (1)超高精度:掩膜版上的电路图案需与芯片设计完全一致,线宽误差控制在纳米级。 (2)高稳定性:掩膜版需耐受多次光刻曝光,生产、运输、使用全
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固态电池产线招标开启:设备增量环节及厂商梳理
前言:锂电新一轮CAPEX高峰来临,2026年Q1头部大厂固态电池产线招标开启,核心量产设备有望导入。 一. 固态电池制备工艺及设备 核心步骤:原料预处理→电极/电解质制备→电芯组装→电芯封装→化成/分容→检测。 1.1 前段工艺 负责正负电极、固态电解质制备,主要设备: (1)电极制备:混合机(材料均质混合)、涂布机(电极涂覆)、辊压机(压实电极/电解质膜)。 (2)电解质制备:三大路线方案不同,包括流延机(氧化物体系)、蒸镀机(硫化物体系)、热压机(聚合物体系)。 1.2 中段工艺 负责电芯
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海外供给收缩:锡资源国内供应格局梳理
一. 驱动逻辑 (1)供给端:扰动不断 缅甸:佤邦禁矿两年后复产缓慢,由于z药审批困难,锡矿产量低于市场预期。 印尼:取缔非法采矿+RKAB配额收紧+出口许可证延迟,短期配额未落实,全年不确定性较大。 全球来看,新投产项目有限且成本高,矿端紧缺有望维持,锡价中枢上移。 (2)需求端:AI驱动 AI服务器与数据中心驱动半导体扩产周期,电子元件焊料用锡需求增长。 二. 锡金属概览 2.1 分布 锡是一种低熔点金属,质地柔软、延展性强,易形成合金;锡与钨、锑、稀土并称为我国四大战略资源。 锡地壳含量仅
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2026-01-24 13:15:47
供需格局改善:环氧丙烷产业及国内厂商梳理
前言:欧洲环氧丙烷因能源(天然气)成本高企,近年陆续关停超80万吨产能;我国企业凭借低成本工艺,有望填补市场缺口,扩大出口份额。 一. 环氧丙烷概览 环氧丙烷(PO)是一种重要的基础化工原料,沸点低、易燃、化学性质活泼,是仅次于聚丙烯、丙烯腈的第三大丙烯类衍生物。 其环氧基具有高反应活性,可通过开环反应衍生出数百种下游产品,如聚醚多元醇(占比70%)、丙二醇、碳酸二甲酯、丙二醇醚等: (1)聚醚多元醇(聚醚):用于生产聚氨酯泡沫,下游包括家具(床垫、沙发)、汽车(座椅、内饰)、建筑(保温材料)、
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供需格局改善:PC(聚碳酸酯)产业及厂商梳理
一. 驱动逻辑 (1)供给端:当前节前淡季,行业开工率处于高位;节后三四月迎来需求旺季,且2026全年无新增产能落地。 (2)需求端:汽车轻量化/新能源汽车带动需求,电子电器、医疗器材等领域需求稳步扩容,同时出口保持增长。 二. 聚碳酸酯概览 聚碳酸酯(PC)是分子主链含碳酸酯基团的热塑性高分子聚合物,属于五大工程塑料(PC、PA、POM、PBT、PPO)。 其具有高透明性、高抗冲击性、高耐热性、高阻燃性、易加工性等性能,是近年来增速最快的通用工程塑料。 PC产品形态多样,主要包括颗粒状(最常见
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中间体供应紧张 分散染料涨价:国内供应商梳理
一. 驱动逻辑 分散染料中间体邻氯对硝基苯胺近期价格攀升,从去年同期的2.5万元/吨上涨至目前的3.8万元/吨。 其在分散染料生产中具有不可替代的作用,理论单耗约为0.3–0.9吨/吨染料。 当前邻氯对硝基苯胺涨价已经传导至下游,近期多家厂商上调产品价格(分散黑类、分散深蓝类)。 二. 染料概览 染料是一类能使物质牢固染色的有机化合物,广泛用于纺织、皮革、造纸、食品、医药、油墨、塑料等领域。 着色原理:物理吸附(直接染料、酸性染料)、化学结合(活性染料)、扩散渗透(分散染料、还原染料)。 现代染
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芯片封装基板:IC载板供应格局梳理
一. IC载板概览 IC载板也称封装基板,在半导体封装环节中,用于连接裸芯片 (Die)与PCB,实现芯片与外部电路的信号传输、机械支撑。 其本质是一种高密度多层互连基板,通过内部精细线路解决芯片微米级焊盘与PCB布线密度不足的矛盾: 目前芯片引脚数突破10万根,间距缩小至0.3mm以下;传统PCB无法承载该连接需求,IC载板通过高密度布线实现2-5μm线宽线距。 1.1 核心功能 (1)电气连接:将芯片微米级焊盘与PCB毫米级引脚互联,实现信号传输。 (2)机械支撑:固定芯片位置,防止物理损伤
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供需缺口推动产品提价:CPU产业及厂商全景梳理
一. 驱动逻辑 (1)供给侧:abf载板供应紧张,英特尔将Intel 3/7产能转向服务器;英特尔、AMD计划将服务器CPU价格上调10%-15%。 (2)需求侧:Agentic AI重塑推理架构,控制流逻辑主要在CPU上运行,需要更多的CPU处理能力(频繁循环:规划→ 调用→执行→反思)。 二. CPU概览 CPU(中央处理器)是计算机系统的运算和控制核心,由运算器(ALU)、控制器、寄存器等单元组成。 2.1 主要功能 (1)指令执行:从内存获取指令,通过控制器译码后,驱动运算器执行相应操作
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M9覆铜板增量耗材:金刚石钻针导入进展及厂商梳理
一. 驱动逻辑 PCB制备涉及200多道工序,核心流程:覆铜板开料→内层制作→层压→钻孔→电镀→外层制作→阻焊→表面处理→成型→检测。 覆铜板材料从M7/M8升级到M9,因Q布硬度更高,传统钻针迎来痛点:损耗大(400→200孔/刀)、效率受限(频繁停机换刀)。 金刚石钻针优势:硬度大、耐磨性高(1万孔/刀)、效率提升(适合批量生产)、质量高(孔位精度高)。 二. PCB钻孔设备 PCB钻孔设备用于在覆铜板上完成通孔、盲孔、埋孔等工艺,定位精度和孔壁粗糙度直接影响PCB电气可靠性和良率。 2.1
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商用航空发动机:国产化进展及配套厂商梳理
一. 商用航发概览 商用航空发动机是为民航航空器提供飞行动力的核心装置,主流机型普遍采用大涵道比涡轮风扇发动机,通过吸入空气并加速排出产生推力。 (1)性能指标:推力、推重比、燃油效率(SFC)、涵道比(BPR)、可靠性、使用寿命、环保性能。 (2)工作原理:通过布雷顿循环(等压加热循环),实现热能→机械能→推力,流程包括进气、压缩、燃烧、膨胀做功、排气五大环节。 1.1 核心部件 (1)风扇:负责吸入空气并分流,贡献主要推力。 (2)压气机:将空气压缩至燃烧所需的高压,提升燃烧效率。 (3)燃
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供需错配加剧:钨资源国内供应格局梳理
一. 驱动逻辑 (1)供给端 25年2月,我国对钨等相关物项实施出口管制;叠加开采指标收紧、环保限产等因素直接影响供给预期。 海外外新增产能有限,哈萨克斯坦巴库塔、澳大利亚海豚钨矿等项目预计2027年后达产。 (2)需求端 全球地缘局势加剧钨金属消耗,美国是全球最大钨消费国,20%钨被用于军工领域。 需求结构中,硬质合金仍为最大占比,核聚变(屏蔽材料)、光伏(金刚线母线)、半导体(六氟化钨)等新兴领域需求增长显著。 二. 钨金属概览 钨(W)是一种稀有过渡金属,具备高熔点、高密度、高硬度、化学性
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电网4万亿规划:特高压输电环节设备厂商梳理
前言:“十五五”期间,国家电网固定资产投资预计达到4万亿元,较“十四五”投资增长40%。 一. 特高压概览 特高压(UHV)是指交流1000kV及以上、直流800kV及以上电压,为目前全球输电技术的最高等级,被誉为电力系统的超级高速公路。 其核心定位是解决我国能源资源与电力负荷的逆向分布矛盾(能源在西部北部,负荷在东部南部),支撑“西电东送、北电南供”战略。 “十五五”期间,将加快特高压直流外送通道建设,跨区跨省输电能力较“十四五”提升超过30%,支撑新能源基地大规模外送。 二. 特高压输电分类
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封测涨价:先进封装主流路线及厂商梳理
前言:算力芯片推动先进封装需求,台积电产能几乎被海外巨头垄断,供需缺口巨大;日月光近期上调封测价格。 一. 半导体封装 半导体制造分为芯片设计、晶圆制造、封装测试三大环节。 封装的目的是将晶圆切割后的裸芯片(Die)转换为可安装、可使用的成品芯片,起到机械保护、电气连接、散热防护等作用。 (1)工艺步骤:晶圆减薄→晶圆切割→芯片贴装→引线键合→塑封保护→切筋成型。 (2)传统封装类型:DIP(双列封装)、QFP(四方扁平封装)、BGA(球栅阵列)。 二. 先进封装概览 随着2nm工艺突破,晶体管
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存储扩产周期:HBM(高带宽内存)制备设备厂商梳理
前言:全球存储产业景气度高增,晶圆厂扩产带动上游设备及材料的强劲需求。 一. HBM概览 高带宽内存(HBM)是一种基于3D堆叠工艺的高性能DRAM,专为AI服务器GPU等高性能计算场景设计。 HBM自2013年推出以来,目前已迭代至HBM4,全球市场呈三强垄断格局,SK海力士、三星、美光合计占据90%以上份额。 1.1 封装原理 HBM通常采用CoWoS工艺,与GPU高密度集成在同一封装,形成三层结构:芯片层、中介层、基板层。 (1)3D堆叠:将多个DRAM Die(4-16层)垂直堆叠,并通
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台积电CoWoS工艺有望导入:碳化硅(SiC)材料供应格局梳理
一. 驱动逻辑 台积电CoWoS工艺属于2.5D先进封装,核心是通过中介层将GPU、HBM高密度集成在同一封装内,实现超高带宽、低延迟的芯片间通信。 CoWoS结构(芯片层-中介层-基板层)中,中介层(Interposer)用于连接芯片层(GPU、HBM)与基板,实现信号高密度互连。 传统中介层采用硅作为基底,碳化硅作为第三代宽禁带半导体材料,热导率等性能显著优于硅,尤其适合高功耗、高集成度AI芯片。 英伟达高阶GPU均采用CoWoS,为提升性能,其拟将CoWoS中阶层材料替换为碳化硅衬底,台积
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半导体光刻工艺耗材:掩膜版供应格局梳理
一. 掩膜版概览 掩膜版又称光罩,是一种在高透光率透明基板上沉积特定图案层的的精密光学元件,主要作为半导体光刻工艺的图形转移母版。 光刻工艺步骤:晶圆清洗→涂覆光刻胶→掩膜版安装与对准→曝光→显影→刻蚀→去胶。 工作原理:通过掩膜版对光线的透过/阻挡筛选,将电路图案等比例缩小后投射到涂有光刻胶的晶圆,再通过显影、蚀刻等步骤将图案永久保留。 1.1 主要特点 (1)超高精度:掩膜版上的电路图案需与芯片设计完全一致,线宽误差控制在纳米级。 (2)高稳定性:掩膜版需耐受多次光刻曝光,生产、运输、使用全
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固态电池产线招标开启:设备增量环节及厂商梳理
前言:锂电新一轮CAPEX高峰来临,2026年Q1头部大厂固态电池产线招标开启,核心量产设备有望导入。 一. 固态电池制备工艺及设备 核心步骤:原料预处理→电极/电解质制备→电芯组装→电芯封装→化成/分容→检测。 1.1 前段工艺 负责正负电极、固态电解质制备,主要设备: (1)电极制备:混合机(材料均质混合)、涂布机(电极涂覆)、辊压机(压实电极/电解质膜)。 (2)电解质制备:三大路线方案不同,包括流延机(氧化物体系)、蒸镀机(硫化物体系)、热压机(聚合物体系)。 1.2 中段工艺 负责电芯
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海外供给收缩:锡资源国内供应格局梳理
一. 驱动逻辑 (1)供给端:扰动不断 缅甸:佤邦禁矿两年后复产缓慢,由于z药审批困难,锡矿产量低于市场预期。 印尼:取缔非法采矿+RKAB配额收紧+出口许可证延迟,短期配额未落实,全年不确定性较大。 全球来看,新投产项目有限且成本高,矿端紧缺有望维持,锡价中枢上移。 (2)需求端:AI驱动 AI服务器与数据中心驱动半导体扩产周期,电子元件焊料用锡需求增长。 二. 锡金属概览 2.1 分布 锡是一种低熔点金属,质地柔软、延展性强,易形成合金;锡与钨、锑、稀土并称为我国四大战略资源。 锡地壳含量仅
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供需格局改善:环氧丙烷产业及国内厂商梳理
前言:欧洲环氧丙烷因能源(天然气)成本高企,近年陆续关停超80万吨产能;我国企业凭借低成本工艺,有望填补市场缺口,扩大出口份额。 一. 环氧丙烷概览 环氧丙烷(PO)是一种重要的基础化工原料,沸点低、易燃、化学性质活泼,是仅次于聚丙烯、丙烯腈的第三大丙烯类衍生物。 其环氧基具有高反应活性,可通过开环反应衍生出数百种下游产品,如聚醚多元醇(占比70%)、丙二醇、碳酸二甲酯、丙二醇醚等: (1)聚醚多元醇(聚醚):用于生产聚氨酯泡沫,下游包括家具(床垫、沙发)、汽车(座椅、内饰)、建筑(保温材料)、
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供需格局改善:PC(聚碳酸酯)产业及厂商梳理
一. 驱动逻辑 (1)供给端:当前节前淡季,行业开工率处于高位;节后三四月迎来需求旺季,且2026全年无新增产能落地。 (2)需求端:汽车轻量化/新能源汽车带动需求,电子电器、医疗器材等领域需求稳步扩容,同时出口保持增长。 二. 聚碳酸酯概览 聚碳酸酯(PC)是分子主链含碳酸酯基团的热塑性高分子聚合物,属于五大工程塑料(PC、PA、POM、PBT、PPO)。 其具有高透明性、高抗冲击性、高耐热性、高阻燃性、易加工性等性能,是近年来增速最快的通用工程塑料。 PC产品形态多样,主要包括颗粒状(最常见
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中间体供应紧张 分散染料涨价:国内供应商梳理
一. 驱动逻辑 分散染料中间体邻氯对硝基苯胺近期价格攀升,从去年同期的2.5万元/吨上涨至目前的3.8万元/吨。 其在分散染料生产中具有不可替代的作用,理论单耗约为0.3–0.9吨/吨染料。 当前邻氯对硝基苯胺涨价已经传导至下游,近期多家厂商上调产品价格(分散黑类、分散深蓝类)。 二. 染料概览 染料是一类能使物质牢固染色的有机化合物,广泛用于纺织、皮革、造纸、食品、医药、油墨、塑料等领域。 着色原理:物理吸附(直接染料、酸性染料)、化学结合(活性染料)、扩散渗透(分散染料、还原染料)。 现代染
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芯片封装基板:IC载板供应格局梳理
一. IC载板概览 IC载板也称封装基板,在半导体封装环节中,用于连接裸芯片 (Die)与PCB,实现芯片与外部电路的信号传输、机械支撑。 其本质是一种高密度多层互连基板,通过内部精细线路解决芯片微米级焊盘与PCB布线密度不足的矛盾: 目前芯片引脚数突破10万根,间距缩小至0.3mm以下;传统PCB无法承载该连接需求,IC载板通过高密度布线实现2-5μm线宽线距。 1.1 核心功能 (1)电气连接:将芯片微米级焊盘与PCB毫米级引脚互联,实现信号传输。 (2)机械支撑:固定芯片位置,防止物理损伤
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供需缺口推动产品提价:CPU产业及厂商全景梳理
一. 驱动逻辑 (1)供给侧:abf载板供应紧张,英特尔将Intel 3/7产能转向服务器;英特尔、AMD计划将服务器CPU价格上调10%-15%。 (2)需求侧:Agentic AI重塑推理架构,控制流逻辑主要在CPU上运行,需要更多的CPU处理能力(频繁循环:规划→ 调用→执行→反思)。 二. CPU概览 CPU(中央处理器)是计算机系统的运算和控制核心,由运算器(ALU)、控制器、寄存器等单元组成。 2.1 主要功能 (1)指令执行:从内存获取指令,通过控制器译码后,驱动运算器执行相应操作
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M9覆铜板增量耗材:金刚石钻针导入进展及厂商梳理
一. 驱动逻辑 PCB制备涉及200多道工序,核心流程:覆铜板开料→内层制作→层压→钻孔→电镀→外层制作→阻焊→表面处理→成型→检测。 覆铜板材料从M7/M8升级到M9,因Q布硬度更高,传统钻针迎来痛点:损耗大(400→200孔/刀)、效率受限(频繁停机换刀)。 金刚石钻针优势:硬度大、耐磨性高(1万孔/刀)、效率提升(适合批量生产)、质量高(孔位精度高)。 二. PCB钻孔设备 PCB钻孔设备用于在覆铜板上完成通孔、盲孔、埋孔等工艺,定位精度和孔壁粗糙度直接影响PCB电气可靠性和良率。 2.1
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商用航空发动机:国产化进展及配套厂商梳理
一. 商用航发概览 商用航空发动机是为民航航空器提供飞行动力的核心装置,主流机型普遍采用大涵道比涡轮风扇发动机,通过吸入空气并加速排出产生推力。 (1)性能指标:推力、推重比、燃油效率(SFC)、涵道比(BPR)、可靠性、使用寿命、环保性能。 (2)工作原理:通过布雷顿循环(等压加热循环),实现热能→机械能→推力,流程包括进气、压缩、燃烧、膨胀做功、排气五大环节。 1.1 核心部件 (1)风扇:负责吸入空气并分流,贡献主要推力。 (2)压气机:将空气压缩至燃烧所需的高压,提升燃烧效率。 (3)燃
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供需错配加剧:钨资源国内供应格局梳理
一. 驱动逻辑 (1)供给端 25年2月,我国对钨等相关物项实施出口管制;叠加开采指标收紧、环保限产等因素直接影响供给预期。 海外外新增产能有限,哈萨克斯坦巴库塔、澳大利亚海豚钨矿等项目预计2027年后达产。 (2)需求端 全球地缘局势加剧钨金属消耗,美国是全球最大钨消费国,20%钨被用于军工领域。 需求结构中,硬质合金仍为最大占比,核聚变(屏蔽材料)、光伏(金刚线母线)、半导体(六氟化钨)等新兴领域需求增长显著。 二. 钨金属概览 钨(W)是一种稀有过渡金属,具备高熔点、高密度、高硬度、化学性
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电网4万亿规划:特高压输电环节设备厂商梳理
前言:“十五五”期间,国家电网固定资产投资预计达到4万亿元,较“十四五”投资增长40%。 一. 特高压概览 特高压(UHV)是指交流1000kV及以上、直流800kV及以上电压,为目前全球输电技术的最高等级,被誉为电力系统的超级高速公路。 其核心定位是解决我国能源资源与电力负荷的逆向分布矛盾(能源在西部北部,负荷在东部南部),支撑“西电东送、北电南供”战略。 “十五五”期间,将加快特高压直流外送通道建设,跨区跨省输电能力较“十四五”提升超过30%,支撑新能源基地大规模外送。 二. 特高压输电分类
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封测涨价:先进封装主流路线及厂商梳理
前言:算力芯片推动先进封装需求,台积电产能几乎被海外巨头垄断,供需缺口巨大;日月光近期上调封测价格。 一. 半导体封装 半导体制造分为芯片设计、晶圆制造、封装测试三大环节。 封装的目的是将晶圆切割后的裸芯片(Die)转换为可安装、可使用的成品芯片,起到机械保护、电气连接、散热防护等作用。 (1)工艺步骤:晶圆减薄→晶圆切割→芯片贴装→引线键合→塑封保护→切筋成型。 (2)传统封装类型:DIP(双列封装)、QFP(四方扁平封装)、BGA(球栅阵列)。 二. 先进封装概览 随着2nm工艺突破,晶体管
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存储扩产周期:HBM(高带宽内存)制备设备厂商梳理
前言:全球存储产业景气度高增,晶圆厂扩产带动上游设备及材料的强劲需求。 一. HBM概览 高带宽内存(HBM)是一种基于3D堆叠工艺的高性能DRAM,专为AI服务器GPU等高性能计算场景设计。 HBM自2013年推出以来,目前已迭代至HBM4,全球市场呈三强垄断格局,SK海力士、三星、美光合计占据90%以上份额。 1.1 封装原理 HBM通常采用CoWoS工艺,与GPU高密度集成在同一封装,形成三层结构:芯片层、中介层、基板层。 (1)3D堆叠:将多个DRAM Die(4-16层)垂直堆叠,并通
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台积电CoWoS工艺有望导入:碳化硅(SiC)材料供应格局梳理
一. 驱动逻辑 台积电CoWoS工艺属于2.5D先进封装,核心是通过中介层将GPU、HBM高密度集成在同一封装内,实现超高带宽、低延迟的芯片间通信。 CoWoS结构(芯片层-中介层-基板层)中,中介层(Interposer)用于连接芯片层(GPU、HBM)与基板,实现信号高密度互连。 传统中介层采用硅作为基底,碳化硅作为第三代宽禁带半导体材料,热导率等性能显著优于硅,尤其适合高功耗、高集成度AI芯片。 英伟达高阶GPU均采用CoWoS,为提升性能,其拟将CoWoS中阶层材料替换为碳化硅衬底,台积
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2026-01-16 20:03:51
半导体光刻工艺耗材:掩膜版供应格局梳理
一. 掩膜版概览 掩膜版又称光罩,是一种在高透光率透明基板上沉积特定图案层的的精密光学元件,主要作为半导体光刻工艺的图形转移母版。 光刻工艺步骤:晶圆清洗→涂覆光刻胶→掩膜版安装与对准→曝光→显影→刻蚀→去胶。 工作原理:通过掩膜版对光线的透过/阻挡筛选,将电路图案等比例缩小后投射到涂有光刻胶的晶圆,再通过显影、蚀刻等步骤将图案永久保留。 1.1 主要特点 (1)超高精度:掩膜版上的电路图案需与芯片设计完全一致,线宽误差控制在纳米级。 (2)高稳定性:掩膜版需耐受多次光刻曝光,生产、运输、使用全
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固态电池产线招标开启:设备增量环节及厂商梳理
前言:锂电新一轮CAPEX高峰来临,2026年Q1头部大厂固态电池产线招标开启,核心量产设备有望导入。 一. 固态电池制备工艺及设备 核心步骤:原料预处理→电极/电解质制备→电芯组装→电芯封装→化成/分容→检测。 1.1 前段工艺 负责正负电极、固态电解质制备,主要设备: (1)电极制备:混合机(材料均质混合)、涂布机(电极涂覆)、辊压机(压实电极/电解质膜)。 (2)电解质制备:三大路线方案不同,包括流延机(氧化物体系)、蒸镀机(硫化物体系)、热压机(聚合物体系)。 1.2 中段工艺 负责电芯
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海外供给收缩:锡资源国内供应格局梳理
一. 驱动逻辑 (1)供给端:扰动不断 缅甸:佤邦禁矿两年后复产缓慢,由于z药审批困难,锡矿产量低于市场预期。 印尼:取缔非法采矿+RKAB配额收紧+出口许可证延迟,短期配额未落实,全年不确定性较大。 全球来看,新投产项目有限且成本高,矿端紧缺有望维持,锡价中枢上移。 (2)需求端:AI驱动 AI服务器与数据中心驱动半导体扩产周期,电子元件焊料用锡需求增长。 二. 锡金属概览 2.1 分布 锡是一种低熔点金属,质地柔软、延展性强,易形成合金;锡与钨、锑、稀土并称为我国四大战略资源。 锡地壳含量仅
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2026-01-24 13:15:47
供需格局改善:环氧丙烷产业及国内厂商梳理
前言:欧洲环氧丙烷因能源(天然气)成本高企,近年陆续关停超80万吨产能;我国企业凭借低成本工艺,有望填补市场缺口,扩大出口份额。 一. 环氧丙烷概览 环氧丙烷(PO)是一种重要的基础化工原料,沸点低、易燃、化学性质活泼,是仅次于聚丙烯、丙烯腈的第三大丙烯类衍生物。 其环氧基具有高反应活性,可通过开环反应衍生出数百种下游产品,如聚醚多元醇(占比70%)、丙二醇、碳酸二甲酯、丙二醇醚等: (1)聚醚多元醇(聚醚):用于生产聚氨酯泡沫,下游包括家具(床垫、沙发)、汽车(座椅、内饰)、建筑(保温材料)、
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供需格局改善:PC(聚碳酸酯)产业及厂商梳理
一. 驱动逻辑 (1)供给端:当前节前淡季,行业开工率处于高位;节后三四月迎来需求旺季,且2026全年无新增产能落地。 (2)需求端:汽车轻量化/新能源汽车带动需求,电子电器、医疗器材等领域需求稳步扩容,同时出口保持增长。 二. 聚碳酸酯概览 聚碳酸酯(PC)是分子主链含碳酸酯基团的热塑性高分子聚合物,属于五大工程塑料(PC、PA、POM、PBT、PPO)。 其具有高透明性、高抗冲击性、高耐热性、高阻燃性、易加工性等性能,是近年来增速最快的通用工程塑料。 PC产品形态多样,主要包括颗粒状(最常见
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中间体供应紧张 分散染料涨价:国内供应商梳理
一. 驱动逻辑 分散染料中间体邻氯对硝基苯胺近期价格攀升,从去年同期的2.5万元/吨上涨至目前的3.8万元/吨。 其在分散染料生产中具有不可替代的作用,理论单耗约为0.3–0.9吨/吨染料。 当前邻氯对硝基苯胺涨价已经传导至下游,近期多家厂商上调产品价格(分散黑类、分散深蓝类)。 二. 染料概览 染料是一类能使物质牢固染色的有机化合物,广泛用于纺织、皮革、造纸、食品、医药、油墨、塑料等领域。 着色原理:物理吸附(直接染料、酸性染料)、化学结合(活性染料)、扩散渗透(分散染料、还原染料)。 现代染
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芯片封装基板:IC载板供应格局梳理
一. IC载板概览 IC载板也称封装基板,在半导体封装环节中,用于连接裸芯片 (Die)与PCB,实现芯片与外部电路的信号传输、机械支撑。 其本质是一种高密度多层互连基板,通过内部精细线路解决芯片微米级焊盘与PCB布线密度不足的矛盾: 目前芯片引脚数突破10万根,间距缩小至0.3mm以下;传统PCB无法承载该连接需求,IC载板通过高密度布线实现2-5μm线宽线距。 1.1 核心功能 (1)电气连接:将芯片微米级焊盘与PCB毫米级引脚互联,实现信号传输。 (2)机械支撑:固定芯片位置,防止物理损伤
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供需缺口推动产品提价:CPU产业及厂商全景梳理
一. 驱动逻辑 (1)供给侧:abf载板供应紧张,英特尔将Intel 3/7产能转向服务器;英特尔、AMD计划将服务器CPU价格上调10%-15%。 (2)需求侧:Agentic AI重塑推理架构,控制流逻辑主要在CPU上运行,需要更多的CPU处理能力(频繁循环:规划→ 调用→执行→反思)。 二. CPU概览 CPU(中央处理器)是计算机系统的运算和控制核心,由运算器(ALU)、控制器、寄存器等单元组成。 2.1 主要功能 (1)指令执行:从内存获取指令,通过控制器译码后,驱动运算器执行相应操作
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M9覆铜板增量耗材:金刚石钻针导入进展及厂商梳理
一. 驱动逻辑 PCB制备涉及200多道工序,核心流程:覆铜板开料→内层制作→层压→钻孔→电镀→外层制作→阻焊→表面处理→成型→检测。 覆铜板材料从M7/M8升级到M9,因Q布硬度更高,传统钻针迎来痛点:损耗大(400→200孔/刀)、效率受限(频繁停机换刀)。 金刚石钻针优势:硬度大、耐磨性高(1万孔/刀)、效率提升(适合批量生产)、质量高(孔位精度高)。 二. PCB钻孔设备 PCB钻孔设备用于在覆铜板上完成通孔、盲孔、埋孔等工艺,定位精度和孔壁粗糙度直接影响PCB电气可靠性和良率。 2.1
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商用航空发动机:国产化进展及配套厂商梳理
一. 商用航发概览 商用航空发动机是为民航航空器提供飞行动力的核心装置,主流机型普遍采用大涵道比涡轮风扇发动机,通过吸入空气并加速排出产生推力。 (1)性能指标:推力、推重比、燃油效率(SFC)、涵道比(BPR)、可靠性、使用寿命、环保性能。 (2)工作原理:通过布雷顿循环(等压加热循环),实现热能→机械能→推力,流程包括进气、压缩、燃烧、膨胀做功、排气五大环节。 1.1 核心部件 (1)风扇:负责吸入空气并分流,贡献主要推力。 (2)压气机:将空气压缩至燃烧所需的高压,提升燃烧效率。 (3)燃
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供需错配加剧:钨资源国内供应格局梳理
一. 驱动逻辑 (1)供给端 25年2月,我国对钨等相关物项实施出口管制;叠加开采指标收紧、环保限产等因素直接影响供给预期。 海外外新增产能有限,哈萨克斯坦巴库塔、澳大利亚海豚钨矿等项目预计2027年后达产。 (2)需求端 全球地缘局势加剧钨金属消耗,美国是全球最大钨消费国,20%钨被用于军工领域。 需求结构中,硬质合金仍为最大占比,核聚变(屏蔽材料)、光伏(金刚线母线)、半导体(六氟化钨)等新兴领域需求增长显著。 二. 钨金属概览 钨(W)是一种稀有过渡金属,具备高熔点、高密度、高硬度、化学性
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2026-01-19 19:55:02
电网4万亿规划:特高压输电环节设备厂商梳理
前言:“十五五”期间,国家电网固定资产投资预计达到4万亿元,较“十四五”投资增长40%。 一. 特高压概览 特高压(UHV)是指交流1000kV及以上、直流800kV及以上电压,为目前全球输电技术的最高等级,被誉为电力系统的超级高速公路。 其核心定位是解决我国能源资源与电力负荷的逆向分布矛盾(能源在西部北部,负荷在东部南部),支撑“西电东送、北电南供”战略。 “十五五”期间,将加快特高压直流外送通道建设,跨区跨省输电能力较“十四五”提升超过30%,支撑新能源基地大规模外送。 二. 特高压输电分类
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封测涨价:先进封装主流路线及厂商梳理
前言:算力芯片推动先进封装需求,台积电产能几乎被海外巨头垄断,供需缺口巨大;日月光近期上调封测价格。 一. 半导体封装 半导体制造分为芯片设计、晶圆制造、封装测试三大环节。 封装的目的是将晶圆切割后的裸芯片(Die)转换为可安装、可使用的成品芯片,起到机械保护、电气连接、散热防护等作用。 (1)工艺步骤:晶圆减薄→晶圆切割→芯片贴装→引线键合→塑封保护→切筋成型。 (2)传统封装类型:DIP(双列封装)、QFP(四方扁平封装)、BGA(球栅阵列)。 二. 先进封装概览 随着2nm工艺突破,晶体管
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存储扩产周期:HBM(高带宽内存)制备设备厂商梳理
前言:全球存储产业景气度高增,晶圆厂扩产带动上游设备及材料的强劲需求。 一. HBM概览 高带宽内存(HBM)是一种基于3D堆叠工艺的高性能DRAM,专为AI服务器GPU等高性能计算场景设计。 HBM自2013年推出以来,目前已迭代至HBM4,全球市场呈三强垄断格局,SK海力士、三星、美光合计占据90%以上份额。 1.1 封装原理 HBM通常采用CoWoS工艺,与GPU高密度集成在同一封装,形成三层结构:芯片层、中介层、基板层。 (1)3D堆叠:将多个DRAM Die(4-16层)垂直堆叠,并通
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2026-01-17 13:46:25
台积电CoWoS工艺有望导入:碳化硅(SiC)材料供应格局梳理
一. 驱动逻辑 台积电CoWoS工艺属于2.5D先进封装,核心是通过中介层将GPU、HBM高密度集成在同一封装内,实现超高带宽、低延迟的芯片间通信。 CoWoS结构(芯片层-中介层-基板层)中,中介层(Interposer)用于连接芯片层(GPU、HBM)与基板,实现信号高密度互连。 传统中介层采用硅作为基底,碳化硅作为第三代宽禁带半导体材料,热导率等性能显著优于硅,尤其适合高功耗、高集成度AI芯片。 英伟达高阶GPU均采用CoWoS,为提升性能,其拟将CoWoS中阶层材料替换为碳化硅衬底,台积
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半导体光刻工艺耗材:掩膜版供应格局梳理
一. 掩膜版概览 掩膜版又称光罩,是一种在高透光率透明基板上沉积特定图案层的的精密光学元件,主要作为半导体光刻工艺的图形转移母版。 光刻工艺步骤:晶圆清洗→涂覆光刻胶→掩膜版安装与对准→曝光→显影→刻蚀→去胶。 工作原理:通过掩膜版对光线的透过/阻挡筛选,将电路图案等比例缩小后投射到涂有光刻胶的晶圆,再通过显影、蚀刻等步骤将图案永久保留。 1.1 主要特点 (1)超高精度:掩膜版上的电路图案需与芯片设计完全一致,线宽误差控制在纳米级。 (2)高稳定性:掩膜版需耐受多次光刻曝光,生产、运输、使用全
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固态电池产线招标开启:设备增量环节及厂商梳理
前言:锂电新一轮CAPEX高峰来临,2026年Q1头部大厂固态电池产线招标开启,核心量产设备有望导入。 一. 固态电池制备工艺及设备 核心步骤:原料预处理→电极/电解质制备→电芯组装→电芯封装→化成/分容→检测。 1.1 前段工艺 负责正负电极、固态电解质制备,主要设备: (1)电极制备:混合机(材料均质混合)、涂布机(电极涂覆)、辊压机(压实电极/电解质膜)。 (2)电解质制备:三大路线方案不同,包括流延机(氧化物体系)、蒸镀机(硫化物体系)、热压机(聚合物体系)。 1.2 中段工艺 负责电芯
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海外供给收缩:锡资源国内供应格局梳理
一. 驱动逻辑 (1)供给端:扰动不断 缅甸:佤邦禁矿两年后复产缓慢,由于z药审批困难,锡矿产量低于市场预期。 印尼:取缔非法采矿+RKAB配额收紧+出口许可证延迟,短期配额未落实,全年不确定性较大。 全球来看,新投产项目有限且成本高,矿端紧缺有望维持,锡价中枢上移。 (2)需求端:AI驱动 AI服务器与数据中心驱动半导体扩产周期,电子元件焊料用锡需求增长。 二. 锡金属概览 2.1 分布 锡是一种低熔点金属,质地柔软、延展性强,易形成合金;锡与钨、锑、稀土并称为我国四大战略资源。 锡地壳含量仅
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供需格局改善:环氧丙烷产业及国内厂商梳理
前言:欧洲环氧丙烷因能源(天然气)成本高企,近年陆续关停超80万吨产能;我国企业凭借低成本工艺,有望填补市场缺口,扩大出口份额。 一. 环氧丙烷概览 环氧丙烷(PO)是一种重要的基础化工原料,沸点低、易燃、化学性质活泼,是仅次于聚丙烯、丙烯腈的第三大丙烯类衍生物。 其环氧基具有高反应活性,可通过开环反应衍生出数百种下游产品,如聚醚多元醇(占比70%)、丙二醇、碳酸二甲酯、丙二醇醚等: (1)聚醚多元醇(聚醚):用于生产聚氨酯泡沫,下游包括家具(床垫、沙发)、汽车(座椅、内饰)、建筑(保温材料)、
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供需格局改善:PC(聚碳酸酯)产业及厂商梳理
一. 驱动逻辑 (1)供给端:当前节前淡季,行业开工率处于高位;节后三四月迎来需求旺季,且2026全年无新增产能落地。 (2)需求端:汽车轻量化/新能源汽车带动需求,电子电器、医疗器材等领域需求稳步扩容,同时出口保持增长。 二. 聚碳酸酯概览 聚碳酸酯(PC)是分子主链含碳酸酯基团的热塑性高分子聚合物,属于五大工程塑料(PC、PA、POM、PBT、PPO)。 其具有高透明性、高抗冲击性、高耐热性、高阻燃性、易加工性等性能,是近年来增速最快的通用工程塑料。 PC产品形态多样,主要包括颗粒状(最常见
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中间体供应紧张 分散染料涨价:国内供应商梳理
一. 驱动逻辑 分散染料中间体邻氯对硝基苯胺近期价格攀升,从去年同期的2.5万元/吨上涨至目前的3.8万元/吨。 其在分散染料生产中具有不可替代的作用,理论单耗约为0.3–0.9吨/吨染料。 当前邻氯对硝基苯胺涨价已经传导至下游,近期多家厂商上调产品价格(分散黑类、分散深蓝类)。 二. 染料概览 染料是一类能使物质牢固染色的有机化合物,广泛用于纺织、皮革、造纸、食品、医药、油墨、塑料等领域。 着色原理:物理吸附(直接染料、酸性染料)、化学结合(活性染料)、扩散渗透(分散染料、还原染料)。 现代染
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芯片封装基板:IC载板供应格局梳理
一. IC载板概览 IC载板也称封装基板,在半导体封装环节中,用于连接裸芯片 (Die)与PCB,实现芯片与外部电路的信号传输、机械支撑。 其本质是一种高密度多层互连基板,通过内部精细线路解决芯片微米级焊盘与PCB布线密度不足的矛盾: 目前芯片引脚数突破10万根,间距缩小至0.3mm以下;传统PCB无法承载该连接需求,IC载板通过高密度布线实现2-5μm线宽线距。 1.1 核心功能 (1)电气连接:将芯片微米级焊盘与PCB毫米级引脚互联,实现信号传输。 (2)机械支撑:固定芯片位置,防止物理损伤
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供需缺口推动产品提价:CPU产业及厂商全景梳理
一. 驱动逻辑 (1)供给侧:abf载板供应紧张,英特尔将Intel 3/7产能转向服务器;英特尔、AMD计划将服务器CPU价格上调10%-15%。 (2)需求侧:Agentic AI重塑推理架构,控制流逻辑主要在CPU上运行,需要更多的CPU处理能力(频繁循环:规划→ 调用→执行→反思)。 二. CPU概览 CPU(中央处理器)是计算机系统的运算和控制核心,由运算器(ALU)、控制器、寄存器等单元组成。 2.1 主要功能 (1)指令执行:从内存获取指令,通过控制器译码后,驱动运算器执行相应操作
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M9覆铜板增量耗材:金刚石钻针导入进展及厂商梳理
一. 驱动逻辑 PCB制备涉及200多道工序,核心流程:覆铜板开料→内层制作→层压→钻孔→电镀→外层制作→阻焊→表面处理→成型→检测。 覆铜板材料从M7/M8升级到M9,因Q布硬度更高,传统钻针迎来痛点:损耗大(400→200孔/刀)、效率受限(频繁停机换刀)。 金刚石钻针优势:硬度大、耐磨性高(1万孔/刀)、效率提升(适合批量生产)、质量高(孔位精度高)。 二. PCB钻孔设备 PCB钻孔设备用于在覆铜板上完成通孔、盲孔、埋孔等工艺,定位精度和孔壁粗糙度直接影响PCB电气可靠性和良率。 2.1
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商用航空发动机:国产化进展及配套厂商梳理
一. 商用航发概览 商用航空发动机是为民航航空器提供飞行动力的核心装置,主流机型普遍采用大涵道比涡轮风扇发动机,通过吸入空气并加速排出产生推力。 (1)性能指标:推力、推重比、燃油效率(SFC)、涵道比(BPR)、可靠性、使用寿命、环保性能。 (2)工作原理:通过布雷顿循环(等压加热循环),实现热能→机械能→推力,流程包括进气、压缩、燃烧、膨胀做功、排气五大环节。 1.1 核心部件 (1)风扇:负责吸入空气并分流,贡献主要推力。 (2)压气机:将空气压缩至燃烧所需的高压,提升燃烧效率。 (3)燃
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供需错配加剧:钨资源国内供应格局梳理
一. 驱动逻辑 (1)供给端 25年2月,我国对钨等相关物项实施出口管制;叠加开采指标收紧、环保限产等因素直接影响供给预期。 海外外新增产能有限,哈萨克斯坦巴库塔、澳大利亚海豚钨矿等项目预计2027年后达产。 (2)需求端 全球地缘局势加剧钨金属消耗,美国是全球最大钨消费国,20%钨被用于军工领域。 需求结构中,硬质合金仍为最大占比,核聚变(屏蔽材料)、光伏(金刚线母线)、半导体(六氟化钨)等新兴领域需求增长显著。 二. 钨金属概览 钨(W)是一种稀有过渡金属,具备高熔点、高密度、高硬度、化学性
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电网4万亿规划:特高压输电环节设备厂商梳理
前言:“十五五”期间,国家电网固定资产投资预计达到4万亿元,较“十四五”投资增长40%。 一. 特高压概览 特高压(UHV)是指交流1000kV及以上、直流800kV及以上电压,为目前全球输电技术的最高等级,被誉为电力系统的超级高速公路。 其核心定位是解决我国能源资源与电力负荷的逆向分布矛盾(能源在西部北部,负荷在东部南部),支撑“西电东送、北电南供”战略。 “十五五”期间,将加快特高压直流外送通道建设,跨区跨省输电能力较“十四五”提升超过30%,支撑新能源基地大规模外送。 二. 特高压输电分类
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封测涨价:先进封装主流路线及厂商梳理
前言:算力芯片推动先进封装需求,台积电产能几乎被海外巨头垄断,供需缺口巨大;日月光近期上调封测价格。 一. 半导体封装 半导体制造分为芯片设计、晶圆制造、封装测试三大环节。 封装的目的是将晶圆切割后的裸芯片(Die)转换为可安装、可使用的成品芯片,起到机械保护、电气连接、散热防护等作用。 (1)工艺步骤:晶圆减薄→晶圆切割→芯片贴装→引线键合→塑封保护→切筋成型。 (2)传统封装类型:DIP(双列封装)、QFP(四方扁平封装)、BGA(球栅阵列)。 二. 先进封装概览 随着2nm工艺突破,晶体管
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2026-01-17 20:45:36
存储扩产周期:HBM(高带宽内存)制备设备厂商梳理
前言:全球存储产业景气度高增,晶圆厂扩产带动上游设备及材料的强劲需求。 一. HBM概览 高带宽内存(HBM)是一种基于3D堆叠工艺的高性能DRAM,专为AI服务器GPU等高性能计算场景设计。 HBM自2013年推出以来,目前已迭代至HBM4,全球市场呈三强垄断格局,SK海力士、三星、美光合计占据90%以上份额。 1.1 封装原理 HBM通常采用CoWoS工艺,与GPU高密度集成在同一封装,形成三层结构:芯片层、中介层、基板层。 (1)3D堆叠:将多个DRAM Die(4-16层)垂直堆叠,并通
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精测电子
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中科飞测
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芯源微
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2026-01-17 13:46:25
台积电CoWoS工艺有望导入:碳化硅(SiC)材料供应格局梳理
一. 驱动逻辑 台积电CoWoS工艺属于2.5D先进封装,核心是通过中介层将GPU、HBM高密度集成在同一封装内,实现超高带宽、低延迟的芯片间通信。 CoWoS结构(芯片层-中介层-基板层)中,中介层(Interposer)用于连接芯片层(GPU、HBM)与基板,实现信号高密度互连。 传统中介层采用硅作为基底,碳化硅作为第三代宽禁带半导体材料,热导率等性能显著优于硅,尤其适合高功耗、高集成度AI芯片。 英伟达高阶GPU均采用CoWoS,为提升性能,其拟将CoWoS中阶层材料替换为碳化硅衬底,台积
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天岳先进
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三安光电
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2026-01-16 20:03:51
半导体光刻工艺耗材:掩膜版供应格局梳理
一. 掩膜版概览 掩膜版又称光罩,是一种在高透光率透明基板上沉积特定图案层的的精密光学元件,主要作为半导体光刻工艺的图形转移母版。 光刻工艺步骤:晶圆清洗→涂覆光刻胶→掩膜版安装与对准→曝光→显影→刻蚀→去胶。 工作原理:通过掩膜版对光线的透过/阻挡筛选,将电路图案等比例缩小后投射到涂有光刻胶的晶圆,再通过显影、蚀刻等步骤将图案永久保留。 1.1 主要特点 (1)超高精度:掩膜版上的电路图案需与芯片设计完全一致,线宽误差控制在纳米级。 (2)高稳定性:掩膜版需耐受多次光刻曝光,生产、运输、使用全
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聚和材料
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2026-01-15 19:40:15
固态电池产线招标开启:设备增量环节及厂商梳理
前言:锂电新一轮CAPEX高峰来临,2026年Q1头部大厂固态电池产线招标开启,核心量产设备有望导入。 一. 固态电池制备工艺及设备 核心步骤:原料预处理→电极/电解质制备→电芯组装→电芯封装→化成/分容→检测。 1.1 前段工艺 负责正负电极、固态电解质制备,主要设备: (1)电极制备:混合机(材料均质混合)、涂布机(电极涂覆)、辊压机(压实电极/电解质膜)。 (2)电解质制备:三大路线方案不同,包括流延机(氧化物体系)、蒸镀机(硫化物体系)、热压机(聚合物体系)。 1.2 中段工艺 负责电芯
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宏工科技
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先惠技术
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2026-01-14 19:27:10
海外供给收缩:锡资源国内供应格局梳理
一. 驱动逻辑 (1)供给端:扰动不断 缅甸:佤邦禁矿两年后复产缓慢,由于z药审批困难,锡矿产量低于市场预期。 印尼:取缔非法采矿+RKAB配额收紧+出口许可证延迟,短期配额未落实,全年不确定性较大。 全球来看,新投产项目有限且成本高,矿端紧缺有望维持,锡价中枢上移。 (2)需求端:AI驱动 AI服务器与数据中心驱动半导体扩产周期,电子元件焊料用锡需求增长。 二. 锡金属概览 2.1 分布 锡是一种低熔点金属,质地柔软、延展性强,易形成合金;锡与钨、锑、稀土并称为我国四大战略资源。 锡地壳含量仅
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锡业股份
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华锡有色
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兴业银锡
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