随着晶体管特征尺寸的不断缩小趋近于物理极限，单纯依靠缩小尺寸来提升集成电路性能的方法已经面临挑战。因此，业界开始寻求新的方法来继续提升芯片性能，这主要体现在两个技术方向上：延伸摩尔定律，这个方向的核心是继续沿着摩尔定律的轨迹，通过先进的制

      随着晶体管特征尺寸的不断缩小趋近于物理极限，单纯依靠缩小尺寸来提升集成电路性能的方法已经面临挑战。因此，业界开始寻求新的方法来继续提升芯片性能，这主要体现在两个技术方向上：延伸摩尔定律，这个方向的核心是继续沿着摩尔定律的轨迹，通过先进的制

      随着晶体管特征尺寸的不断缩小趋近于物理极限，单纯依靠缩小尺寸来提升集成电路性能的方法已经面临挑战。因此，业界开始寻求新的方法来继续提升芯片性能，这主要体现在两个技术方向上：延伸摩尔定律，这个方向的核心是继续沿着摩尔定律的轨迹，通过先进的制

      随着晶体管特征尺寸的不断缩小趋近于物理极限，单纯依靠缩小尺寸来提升集成电路性能的方法已经面临挑战。因此，业界开始寻求新的方法来继续提升芯片性能，这主要体现在两个技术方向上：延伸摩尔定律，这个方向的核心是继续沿着摩尔定律的轨迹，通过先进的制

      随着晶体管特征尺寸的不断缩小趋近于物理极限，单纯依靠缩小尺寸来提升集成电路性能的方法已经面临挑战。因此，业界开始寻求新的方法来继续提升芯片性能，这主要体现在两个技术方向上：延伸摩尔定律，这个方向的核心是继续沿着摩尔定律的轨迹，通过先进的制