全球首款12英寸GaN晶圆诞生，氮化镓迎技术拐点
西域多宝
2024-09-19 08:48:52 上海市
全球首款12英寸GaN晶圆诞生，氮化镓迎技术拐点
氮化镓功率半导体业务将实现近10倍的增长。今日重要性：✨
据中证报报道，近日，英飞凌宣布能以更低成本生产由创新材料氮化镓制成的芯片，该公司已经成功开发出全球首款12英寸（300mm）功率氮化镓（GaN）晶圆，并将在今年11月举行的慕尼黑电子展上向公众展示。英飞凌希望通过新工艺长期确保氮化镓芯片的价格不会高于硅半导体。据称，该技术已在位于菲拉赫工厂的试产线上得到验证，目前将根据需求扩大产能。
作为第三代半导体材料的典型代表，在过去多年的发展历程中，氮化镓似乎一直都被碳化硅稳压一头。而这次，氮化镓率先实现12英寸晶圆量产的消息传来，备受行业瞩目。英飞凌是全球首家在现有大规模生产环境中掌握氮化镓半导体晶圆技术的供应商。据该公司称，这些晶圆上可容纳的半导体数量是迄今常见晶圆的2.3倍。因此，未来这种元件的价格可能会大幅降低。对客户来说，用氮化镓半导体替代迄今占主导地位的硅半导体将更具吸引力。
而就在英飞凌宣布12英寸GaN晶圆前几天，信越化学宣布实现了GaN专用生长衬底300mm QST衬底，并开始发货样品。此外，英特尔、晶湛半导体、IVWorks 等多家企业也曾宣布实现了12英寸GaN突破，在器件、外延、生产设施等方面实现技术突破。
中证报指出，在AI浪潮驱动之下，数据中心和具身智能成为重要的应用落点。对于新材料氮化镓（GaN）来说，在消费电子快充场景之外，其应用市场也将快速拓维。专家预计，氮化镓功率半导体业务将实现近10倍的增长：从去年的2.6亿美元增至2029年的25亿美元。
氮化镓，作为第三代半导体材料的佼佼者，当前优势逐渐占据上风。公司方面，据中证报表示，
赛微电子：全球领先的集成电路芯片晶圆制造厂，公司目前的主要产品及业务包括MEMS芯片的工艺开发及晶圆制造、GaN外延材料生长与器件设计等。
中瓷电子：氮化镓射频芯片良率达到业内先进水平。
捷捷微电（300623）：在氮化镓和碳化硅领域拥有相关专利，并且有少量碳化硅器件的封测。
士兰微（600460）：已建成6英寸硅基氮化镓集成电路芯片中试线，涵盖材料生长、器件研发、GaN电路研发、封装、系统应用的全技术链。
闻泰科技（600745）：推出行业领先性能的第三代半导体氮化镓功率器件，保持在该领域的持续领先。
方大集团：涉足氮化镓相关业务。
航天发展：涉足氮化镓相关业务。
安泰科技：涉足氮化镓相关业务。
作者利益披露：转载，不作为证券推荐或投资建议，旨在提供更多信息，作者不保证其内容准确性。
声明：文章观点来自网友，仅为作者个人研究意见，不代表韭研公社观点及立场，站内所有文章均不构成投资建议，请投资者注意风险，独立审慎决策。
S
捷捷微电
工分
1.16
转发
收藏
投诉
复制链接
分享到微信
有用 2
打赏作者
无用
真知无价，用钱说话
0个人打赏
同时转发
暂无数据