抛光环节国内市场空间60亿,抛光垫20亿,未来五年整体市场空间翻5倍,主要得益于晶圆厂扩产+3DNAND芯片层数增加。3D NAND每多一层就要抛光一次,长存长制程切换64128层将带来35-40%增量。此外,清洗液已布局5年,客户端测试顺利;抛光液下半年送样;金刚石修整盘在研发阶段。
竞争格局:此前由美国陶氏(D0W)全球垄断,目前国内D0W市占率90%,鼎龙市占率接近10%,而抛光液由3、4家龙头厂商寡头垄断,无其他竞争者,格局良好。原因:市场空间小+研发周期长、难度高。鼎龙十年技术积累,成功突破,并且进入长存一供;长期垄断下国内晶圆厂国产替代意愿强烈;以未来50%国内市占率计算,叠加晶圆厂扩产/存储制程升级的5倍需求将有25倍市场空间,利润率弹性将更加明显。
产能:抛光垫一期18万片已投产,当前已满产,良率70-80%在爬坡,二期18万片今年最晚10月投产,目标产能年底达到30-40W片,即明年对应营收8-10亿。
盈利预测:2021年营收上看25亿+,净利3.5亿。远期40亿净利可期。