相比较 HBM3，HBM4 的每个堆栈通道数增加了一倍

制造16层及以上的高带宽内存(HBM)内存必须采用混合键合技术(Hybrid bonding).

与目前三星所使用的热压焊接(TC)相比Hybrid bonding可焊接更多芯片堆栈维持更低的堆栈高度并提高热排放效率。三星指出，降低高度是采用混合键合的主因内存高度限制在775微米内，在这高度中须封装17个芯片(即一个基底芯片和16个核心芯片)，因此缩小芯片间的间隙，是内存大厂必须克服的问题。

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新东西，静待发酵。