一、机会前瞻 全包围栅极(GAA):网传美国计划限制相关技术 ◇事件:2024年6月12日盘前网传消息,拜登政府正考虑进一步限制中国使用“全包围栅极”(GAA)的尖端芯片架构。 ◇全包围栅极(GAA):新型晶体管设计,通过四面栅极材料包围晶体管的源和漏,从而提供了更好的电流控制,使得在2nm甚至更小的制程下的芯片制造成为可能。制造GAA 需使用硅(Si)与锗化硅(SiGe)的外延层交替堆叠,形成纳米级别的超晶格结构,作为纳米片晶体管的基础;辅助技术方面,EUV极紫外光刻技术也是推动 GAA 市场