核心逻辑:存储板块有望在2023年上半年达到库存顶点,下半年迎来供需结构改善,23Q2-3价格有望止跌,其中NAND Flash或先于DRAM好转。
大陆存储大市场&低自给率,国产替代空间广阔,标的:
兆易创新(大陆存储龙头,DRAM、NAND
Flash、Nor Flash)
东芯股份(大陆SLC NAND龙头、DRAM、NAND Flash、Nor Flash)
北京君正(大陆车载存储龙头、DRAM、NAND
Flash、Nor Flash、SRAM)
普冉股份(从小容量到大容量,打开成长空间,EEPROM)
聚辰股份(大陆EEPROM龙头、Nor
Flash、EEPROM)
澜起科技(内存接口芯片龙头)
复旦微电(Nor Flash、EEPROM)
恒烁股份(Nor Flash)
江波龙、佰维存储、国科微
海外:美光科技
(一)
大陆目前发力利基,重点关注
兆易创新:2021年量产19nm
4Gb DDR4, 23年9月兆易创新发布17nm 2Gb/4Gb DDR3,北京君正(ISSI)目前在大陆利基DRAM领域料号数量最为全面、营收体量最大,DRAM中出货量最大的是DDR3,东芯股份在DDR3方面有所布局。
利基DRAM:Specialty DRAM,按照Dramexchange现在的划分,包括DDR2、DDR3及部分DDR4颗粒。主流DRAM:Commodity DRAM,代表产品包括8Gb以上的DDR4、DDR5颗粒和DDR4、DDR5模组。
(二)
存储的周期特征明显,抓住高波动高弹性
规模占比:存储是半导体第二大细分市场。2021/2020/2019年全球存储市场规模为1534/1175/1064亿美金,占半导体规模的比例为28%/27%/26%,
存储的周期性与全球半导体整体周期性走势一致,但波动性远大于其他细分品类。
(三)
存储是半导体细分产品成长性最优赛道
2002-2021年、2011-2021年、2016-2021年存储CAGR分别为9.5%、9.7%、14.9%,均为半导体成长性最优细分产品, 且近5年增速显著高于近十年和近二十年增速,成长性显著提升。
(四)
DRAM周期波动幅度最大,成长性最优(DRAM和NAND合计占比97%,分别占61%/36%)
1.
周期波动:DRAM>NAND>Nor及其他,DRAM周期波动性大于存储平均水平,是存储细分市场中周期性波动最大细分市场;
2.
成长性:从2009-21年、2011-21年、2016-21年存储器各细分品类CAGR看,DRAM>NAND>Nor及其他,DRAM成长性大于存储平均水平,且近5年增速显著高于近十年增速,成长性显著提升。
(五)
存储分类:主流和利基,主流占主要份额
1.
利基产品:利基存储产品包括SLC NAND、容量小于等于4GB的MLC/TLC NAND、利基DRAM、Nor、SRAM等产品,在这些细分市场中主要是中国台湾的南亚、华邦、旺宏等厂商角逐,大陆长鑫、兆易等也是利基产品
2. 主流产品:主流产品包括容量大于4GB的MLC/TLC NAND产品、PC DRAM、Mobile DRAM、Server DRAM,这些是主要市场,国际一流大厂三星、美光、海力士、东芝是代表厂商。
(六)
大陆存储:聚焦利基市场,品类覆盖全
存储市场,大陆以利基产品为切入口。
大陆厂商聚焦利基产品,如利基DRAM、SLC NAND、Nor
Flash、EEPROM等产品,我们重点跟踪利基DRAM和SLC NAND的价格
利基DRAM:大陆供应商如兆易创新(2021年推出4Gb DDR4)、北京君正、东芯股份
SLC NAND:大陆供应商如兆易创新、北京君正、东芯股份(注:长江存储做3D NAND,容量256Gb、512Gb、1.33Tb,产品不 属于利基型)
利基型DRAM的价格主要受供给影响,主要应用于液 晶电视、数字机顶盒、播放机等消费型电子与网络通讯等领域。
大陆发力利基DRAM:中国台湾厂商占据利基DRAM半壁江山,华邦、南亚合计市占率近60%,大陆厂商发力利基DRAM,兆易创新2021年量产19nm 4Gb
DDR4,目前17nm 4Gb DDR3在研,北京君正(ISSI)的DRAM中出货量最大的是DDR3,东芯股份目前DRAM 产品是DDR3。