一,公司简介
公司连续四年名列 “中国半导体功率器件十强企业” ,是前十强(2019年第7 )中唯一基于先进的 8英寸晶圆片工艺平台,专门从事MOSFET和IGBT等半导体功率器件研发设计的企业。公司主要产品为沟槽型功率 MOSFET,超结功率MOSFET,屏蔽栅功率MOSFET和IGBT等半导体功率器件,公司拥有1,000余种细分型号,是国内领先的半导体功率器件行业中 MOSFET产品系列最齐全的设计企业之一,广泛消费电子,汽车电子,工业电子以及新能源汽车 /充电桩,智能装备制造,物联网,光伏新能源等领域。
二,行业简介
分立器件主要包括功率二极管,功率三极管,晶闸管, MOSFET,IGBT 等半导体功率器件产品。对国内市场而言,功率二极管, 功率三极管,晶闸管等分立器件产品大部分已实现国产化,而 MOSFET,IGBT等分立器件产品由于其技术及工艺的先进性,还导致更长的依赖进口,未来进口替代空间巨大。
2018年,半导体半导体分立器件进口销售额2,658.4兆,较2017年增长7.50%。2018年中国半导体分立器件进口金额为285.0亿美元,与2017年基本持平。
MOSFET 是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管,具有导通电阻小,损耗低,驱动电路简单,热阻特性好等优点,特别适合用于电脑,手机,移动电源,车载导航,电动交通工具, UPS电源等电源控制领域。据IHS统计,2016年,2017年年国内MOSFET市场份额分别为22.07亿美元,26.39亿美元。国内 MOSFET主要市场的英文厂商英飞凌与安森美,占据了将近一半市场,公司2016年,2017年分别占国内MOSFET市场份额比例分别为2.88%,2.83%,且公司为除英飞凌,安森美,瑞萨电子等 9家外资品牌外的国内排名前在全球新能源汽车规模的增长中,其在汽车应用领域的需求将超越计算机和数据存储领域,占总体需求市场的22%。预计到2022年,全球MOSFET市场规模将接近75亿美元。
IGBT 是由双极型三极管( BJT)和MOSFET组成的复合全控型电压驱动式半导体功率器件,兼有 MOSFET的高输入电阻和双极型三极管(BJT)的低导通压降两方面的优点,IGBT驱动功率小而饱和压降,非常适合替换直流电压为600V及以上的变流系统,如交流电机,变频器,开关电源,照明电路,牵引传动等。IGBT是新能源汽车电控系统和直流充电桩的核心器件,成本占到新能源汽车整车成本的10%,占充电桩成本的20%。由于未来几年的新能源汽车/充电桩等新兴市场的快速发展,IGBT等半导体到 2020年全球IGBT单管市场空间达到60亿美元左右,2018年,国内IGBT市场规模已达161.9 ppm,功率放大器将迎来黄金发展期。
电控系统是新能源汽车三大核心部件之一,占整车成本约 20%,而电控系统需要利用大量的MOSFET和IGBT等半导体功率器件。因此,新能源汽车产销规模扩大将拉动对MOSFET ,IGBT等半导体功率器件的需求。
三,公司业绩
16-19年,公司营收分别为 50,375.98,71,579.03和77,253.69万元,净利润分别为5,189.11,14,141.89和9,820.95万元,扣非净利润分别为6,867.81,13,955.56和8,762.74万元。
预计 2020年1-9月营业收入64,000.00万元至65,500.00万元,之后增长18.05%至20.82%,归属于上市公司股东的净利润 9,200.00万元至9,700.00万元,增长44.82%至52.69%
四,未来布局
未来三年,公司将巩固和加强功率 MOSFET和IGBT产品的国内领先地位,建成先进的功率集成器件及模块产品特色封装产线,布局SiC / GaN新材料宽禁带半导体,不断开发高功率密度,低功耗,集成度更高的功率MOSFET和IGBT产品,丰富的现有系列产品规格型号,拓宽公司产品应用领域。