LoMaRe开发压磁RAM（PMRAM）

磁阻RAM是一种新的有前途的计算机内存技术。由于几个原因，MRAM有可能成为通用存储器解决方案。特别是，它提供了高速和几乎无限的可靠性，静态RAM（SRAM）等低延迟，以及高密度和电源效率。与传统闪存一样，它是非易失性的。此外，它能够抵抗极端温度和辐射。

英国初创公司LoMaRe开发了一种正在申请专利的压磁RAM技术。与当前最先进的MRAM相比，它具有许多优势，包括与闪存相比，功耗至少降低25.000倍，耐用性更高，并允许在高温下运行。这家初创公司的解决方案在汽车、物联网 （IoT） 和计算领域找到了应用。

LoMaRe开发压磁RAM（PMRAM）

磁阻RAM是一种新的有前途的计算机内存技术。由于几个原因，MRAM有可能成为通用存储器解决方案。特别是，它提供了高速和几乎无限的可靠性，静态RAM（SRAM）等低延迟，以及高密度和电源效率。与传统闪存一样，它是非易失性的。此外，它能够抵抗极端温度和辐射。

英国初创公司LoMaRe开发了一种正在申请专利的压磁RAM技术。与当前最先进的MRAM相比，它具有许多优势，包括与闪存相比，功耗至少降低25.000倍，耐用性更高，并允许在高温下运行。这家初创公司的解决方案在汽车、物联网 （IoT） 和计算领域找到了应用。