你好，请问贵公司的IGBT项目的进展状况

 您好。公司IGBT项目正在有序推进，公司通过引进吸收和自主研发，掌握了工业级IGBT模块的封测技术，并已建成IGBT封测线。谢谢。

高功率半导体脉冲功率开关：渗透率较低，看好国产替代前景 高功率半导体脉冲功率开关在国内渗透率仍然较低，公司具有行业领先的 技术和产品，具有完全自主知识产权的超大半导体脉冲功率开关技术达到 国际领先水平。公司产品在强磁场、强激光领域等细分领域占据大部分市 场份额。开关元件技术壁垒高，目前主要被几大巨头垄断，公司在今年 6 月表示公司已经利用现有产线平台实现量产,开关产品技术指标达到国际 先进水平，能取代进口，看好未来国产替代前景。 提前卡位布局第三代宽禁带半导体 以 SiC 和 GaN 为代表的第三代半导体材料具有宽禁带、损耗低、耐高温等 特点，在功率半导体和射频器件等方面应用广泛，是未来的发展趋势。目 前市场主要被国外巨头垄断，国产替代空间广阔。公司已经积极与国内外 知名高等院校合作，提前卡位布局，持续跟踪第三代半导体的技术研发。 功率半导体市场——“新能源汽车+国产替代”双重驱动 受惠于新能源汽车需求的显著增长，我们认为 IGBT 的增量空间广阔，SiC 市场可能会因为高成本限制产能扩张出现供不应求的情况。 目前高端功率半导体市场主要由欧美大厂垄断，但国际功率半导体厂商尚 未形成专利和标准的垄断。而国内厂商在服务客户需求和降低成本等方面 具有竞争优势。我们认为，功率半导体的国产替代空间十分广阔