为推动建立整机(系统)和基础产品互动发展、产业链上下游协作通畅的新机制新模式,加快“4-6英寸氮化镓微波毫米波器件”项目落地,2月9日上午,工信部规划司一级巡视员张新、国资委科创局成果应用处处长陈建刚、北京市经信局电子信息产业处处长李辉等领导赴北京国联万众现场调研,顺义区委常委副区长徐晓俊、区经济和信息化局局长兰雄景等顺义区相关领导参加调研,中国电科产业部副主任杜新宇、国创中心主任张鲁川和国联万众总经理安国雨等领导陪同调研。
张新一行参观了中国电科产业基础研究院和国联万众公司展厅、国基科航检验检测平台和第三代半导体芯片工艺线,详细了解各企业在第三代半导体氮化镓射频、碳化硅电力电子领域的研发、产品布局情况。
在随后的座谈交流中,张新一行与国家第三代半导体技术创新中心、国联万众、瑞能半导体、天科合达等企业,共同围绕第三代半导体产业国内外行业发展现状、趋势、面临的困难、产业链中的卡点堵点、政策及资金支持的建议等进行深入交流。
张新对顺义区加快推动第三代半导体产业发展取得的成效表示肯定。他表示:
张新对顺义区加快推动第三代半导体产业发展取得的成效表示肯定。他表示:第三代半导体产业已成为国际上高技术产业发展和半导体芯片技术研发的核心竞争领域之一,工信部将从政策、应用、产业共性技术支撑、集群打造等方面大力支持顺义区发展第三代半导体产业。
希望各企业和创新平台,抢抓机遇,依托北京市深厚创新力量、丰富应用资源、优良发展环境优势,加强产业链上下游协同创新,提升产品自主研发能力,加快实现车规级芯片的全产业链条产业化技术突破,持续为现代化产业体系建设做出更大贡献。