异动
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信仰决定信仰
2021-06-09 07:39:05
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@韭九久: 碳化硅(SiC):第三代半导体芯片材料大势所趋,碳化硅MOSFET将与硅基IGBT长期共存。相比于硅基,SiC拥有更高的禁带宽度、电导率等优良特性,更适合应用在高功率和高频高速领域,如新能源汽车和5G射频器件领域。特斯拉在MODEL3上使用24个SiCMOSFET模块作为主驱逆变器的核心部件替代IG
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