SOLARZOOM创始人刘腿表示,HJT 基于本身特性,在大尺寸硅片及双面率上,拥有其他几种可能的下一代技术无法比拟的优势。其由此可能成为目前已知各类光伏电池技术路线中的终极平台地未来五年内,HJT异质结技术的渗透率有望从现在不到4B速提高到70%以上。
异质结量产的最大阻碍因素是非硅成本和钢。根据天风证券测算,异质结电池每Gw铟耗量为3.17 E/Gw,金属铟占每Gw成本为 300万元,展望未来,得益于硅片薄片化降低硅片成本,银浆用量减少及国产化降低浆料成本,单机生产设备产能提高以及国产化降低折旧成本,天风认为未来异质结电池的成本有望持续降低,同时目前铟的资源足够支撑至少300GwW/年异质结产能。
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